[发明专利]一种全背接触高效晶硅电池金属图形化制作方法

摘要

本发明涉及一种全背接触高效晶硅电池金属图形化制作方法，对全背接触晶体硅电池进行背面高温硼扩散形成发射结、背面磷扩散形成背表面场、正面磷扩散前表面场、正面/背面钝化减反射层沉积处理，然后进行电极图形及金属化处理工艺，完成全背接触高效晶硅电池金属图形化的制作。与现有技术相比，本发明在后续金属化中不需要昂贵的光刻设备、PVD或溅射等大型金属沉积设备，且与常规量产丝网印刷设备兼容，大幅度降低全背接触晶体硅电池制备成本。

主权项

一种全背接触高效晶硅电池金属图形化制作方法，对全背接触晶体硅电池进行背面高温硼扩散形成发射结、背面磷扩散形成背表面场、正面磷扩散前表面场、正面/背面钝化减反射层沉积处理，其特征在于，还包括电极图形及金属化处理工艺，采用以下步骤：(1)在全背接触电池背面发射结区域及背表面场区域进行表面钝化层图形化开孔；(2)在发射结及背场表面区域采用丝网印刷工艺进行细栅线印刷烧结，在主栅线区域印刷非烧结性浆料用于背面发射结区域及背表面场区域的汇流；(3)主栅线汇流浆料，然后在高温烧结炉中进行合金化形成良好欧姆接触，即完成全背接触高效晶硅电池金属图形化的制作。