[发明专利]有序纳米阵列结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种有序纳米阵列结构的制备方法，包括以下步骤提供基底材料；在基底材料表面铺陈第一层PS小球自组装单层薄膜；进行第一次等离子刻蚀形成前一级有序纳米阵列结构；去除第一层PS小球自组装单层薄膜；在基底材料表面铺陈第二层PS小球自组装单层薄膜，第二层PS小球自组装单层薄膜的PS小球自动定位于前一级有序纳米阵列结构的凹陷；进行第二次等离子刻蚀形成后一级有序纳米阵列结构；去除第二层PS小球自组装单层薄膜；重复步骤五和七。本发明能与微电子工艺技术相兼容，工艺简单、成本低，能提高有序纳米阵列结构的密度以及减少纳米单元的尺寸，且纳米单元的尺寸均匀、分布均匀可控。

主权项

一种有序纳米阵列结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供一用于制备有序纳米阵列结构的基底材料；步骤二、在所述基底材料表面铺陈一层由单层PS小球自组装形成的第一层PS小球自组装单层薄膜；步骤三、以所述第一层PS小球自组装单层薄膜为掩膜对所述基底材料进行第一次等离子刻蚀形成前一级有序纳米阵列结构；步骤四、去除所述第一层PS小球自组装单层薄膜；步骤五、在形成有所述前一级有序纳米阵列结构的所述基底材料表面铺陈一层由单层PS小球自组装形成的第二层PS小球自组装单层薄膜，所述第二层PS小球自组装单层薄膜的PS小球自动定位于所述前一级有序纳米阵列结构的凹陷处并使所述前一级有序纳米阵列结构的纳米单元暴露出来；步骤六、以所述第二层PS小球自组装单层薄膜为掩膜对所述基底材料进行第二次等离子刻蚀形成后一级有序纳米阵列结构，利用所述第二层PS小球自组装单层薄膜的PS小球自动定位所述前一级有序纳米阵列结构的凹陷处并使所述前一级有序纳米阵列结构的纳米单元暴露出来的特点所述第二次等离子刻蚀实现对所述前一级有序纳米阵列结构的纳米单元做自对准刻蚀，使所述后一级有序纳米阵列结构的纳米单元的尺寸比所述前一级有序纳米阵列结构的纳米单元的尺寸小以及使所述后一级有序纳米阵列结构的纳米单元的密度比所述前一级有序纳米阵列结构的纳米单元的密度高；步骤七、去除所述第二层PS小球自组装单层薄膜；步骤八、以所述后一级有序纳米阵列结构作为新的前一级有序纳米阵列结构，重复步骤五和七得到纳米单元的尺寸更小、密度更高的新的后一级有序纳米阵列结构，重复次数大于等于0。