[发明专利]具有高发光效率量子垒的外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201510599118.5 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN105140357A | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 孙玉芹;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高发光效率量子垒的外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。该方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层；在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层，所述多个GaN垒层中的最靠近所述N型GaN层的至少一个所述GaN垒层为P型GaN垒；在所述多量子阱有源层上生长P型GaN载流子层。本发明中，最靠近N型GaN层的至少一个InGaN阱层中空穴浓度大幅增加，而在大电流密度下，注入多量子阱有源层中的电子是随之增多的，所以可以大大提高电子和空穴在多量子阱有源层中的复合效率，使得电子溢漏的程度减小，提高了大电流密度下GaN基LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 发光 效率 量子 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有高发光效率量子垒的外延片制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层；在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层，所述多个GaN垒层中的最靠近所述N型GaN层的至少一个所述GaN垒层为P型GaN垒；在所述多量子阱有源层上生长P型GaN载流子层。
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