[发明专利]一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护电路在审
申请号: | 201510599183.8 | 申请日: | 2015-09-18 |
公开(公告)号: | CN105118829A | 公开(公告)日: | 2015-12-02 |
发明(设计)人: | 阮为 | 申请(专利权)人: | 芯佰微电子(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102208 北京市昌平区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护电路,包括天线屏蔽线A、MOS管N1和天线二极管D1,所述天线屏蔽线A的输入端IN连接反相器inverter1的输出端,天线屏蔽线A的输出端OUT连接天线二极管D1的阴极和MOS管N1的源极,MOS管N1的漏极连接二极管D2的阴极和反相器inverter2的输入端,MOS管N1的沟道将天线屏蔽线A的输出端OUT和反相器inverter2的输入端在物理上分隔开。本发明提出了一种由MOS管这种4端器件和其栅极控制电路构成的天线效应保护电路结构,消除了对传统天线二极管的依赖,有效减小主动屏蔽层所需的天线效应保护电路的面积,提高了芯片的鲁棒性。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 消除 主动 屏蔽 天线 效应 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护电路,其特征在于,包括天线屏蔽线A、MOS管N1和天线二极管D1,所述天线屏蔽线A的输入端IN连接反相器inverter1的输出端,天线屏蔽线A的输出端OUT连接天线二极管D1的阴极和MOS管N1的源极,MOS管N1的漏极连接二极管D2的阴极和反相器inverter2的输入端,MOS管N1的沟道将天线屏蔽线A的输出端OUT和反相器inverter2的输入端在物理上分隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的