[发明专利]一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护电路在审

专利信息
申请号: 201510599183.8 申请日: 2015-09-18
公开(公告)号: CN105118829A 公开(公告)日: 2015-12-02
发明(设计)人: 阮为 申请(专利权)人: 芯佰微电子(北京)有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102208 北京市昌平区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护电路,包括天线屏蔽线A、MOS管N1和天线二极管D1,所述天线屏蔽线A的输入端IN连接反相器inverter1的输出端,天线屏蔽线A的输出端OUT连接天线二极管D1的阴极和MOS管N1的源极,MOS管N1的漏极连接二极管D2的阴极和反相器inverter2的输入端,MOS管N1的沟道将天线屏蔽线A的输出端OUT和反相器inverter2的输入端在物理上分隔开。本发明提出了一种由MOS管这种4端器件和其栅极控制电路构成的天线效应保护电路结构,消除了对传统天线二极管的依赖,有效减小主动屏蔽层所需的天线效应保护电路的面积,提高了芯片的鲁棒性。
搜索关键词: 一种 用于 消除 主动 屏蔽 天线 效应 保护 电路
【主权项】:
一种用于消除主动屏蔽层天线效应的保护电路,其特征在于,包括天线屏蔽线A、MOS管N1和天线二极管D1,所述天线屏蔽线A的输入端IN连接反相器inverter1的输出端,天线屏蔽线A的输出端OUT连接天线二极管D1的阴极和MOS管N1的源极,MOS管N1的漏极连接二极管D2的阴极和反相器inverter2的输入端,MOS管N1的沟道将天线屏蔽线A的输出端OUT和反相器inverter2的输入端在物理上分隔开。
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