[发明专利]一种基于全刮涂技术制备量子点发光二极管的方法

摘要

本发明涉及一种基于全刮涂技术制备量子点发光二极管的方法，通过在透明导电基底上依次刮涂空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极层制备得到量子点发光二极管，同时改变各功能层溶液浓度和刮涂工艺的不同参数，可以实现对器件质量及性能的调控。本发明采用在支撑基板上放置透明导电基底，通过滴管将各功能层溶液滴在滴液区，并使用机械臂水平推动刮刀将各功能层溶液依次在基底上进行刮涂，并在刮涂的同时进行加热处理。本发明简单易行，较旋涂工艺大大降低了各功能层材料的浪费且适用于大面积制备，能够实现低成本的高效大面积量子点发光二极管的制备，具有良好的产业化前景。

主权项

1.一种基于全刮涂技术制备量子点发光二极管的方法，其特征在于：通过在透明导电基底上依次刮涂空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极层制备得到量子点发光二极管；所述的量子点发光层的制备方法具体为：在所述空穴传输层上刮涂具有量子点发光特性材料的溶液，在50℃至100℃中加热5min至10min制备得到所述量子点发光层；所述的电子传输层的制备方法具体为：在所述量子点发光层上刮涂具有电子传输特性材料的溶液，在80℃至120℃中加热10min至20min制备得到所述电子传输层；所述的空穴注入层的制备方法具体为：在所述透明导电基底上刮涂具有空穴注入特性材料的溶液，在100℃至160℃中加热10min至20min制备得到所述空穴注入层；所述的具有空穴注入特性的材料为PEDOT：PSS；所述的空穴传输层的制备方法具体为：在所述空穴注入层上刮涂具有空穴传输特性材料的溶液，在50℃至120℃中加热10min至20min制备得到所述空穴传输层；所述的具有空穴传输特性的材料为Poly‑TPD和PVK，把它们分别溶于氯苯和甲苯后依次刮涂在所述空穴注入层上；所述的具有量子点发光特性的材料包括CdSe、CdTe、CdS以及CdSe/ZnS；所述的具有电子传输特性的材料为ZnO，采用凝胶‑溶胶的方法制备；所述的阴极层的制备方法具体为：在所述电子传输层上刮涂银纳米线、导电银桨或其它金属导电溶液材料制备得到的所述阴极层；所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极层的各层材料厚度均在1nm至100nm之间。