[发明专利]一种2.5-10um谱段高透低应力薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201510600064.X | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN105223634A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 董茂进;王多书;熊玉卿;王田刚;王济洲;蔡宇宏;徐嶺茂;李凯朋 | 申请（专利权）人： | 无锡泓瑞航天科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B1/14 | 分类号： | G02B1/14 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 李爱英;仇蕾安 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种2.5-10um谱段高透低应力薄膜，所述薄膜为镀制在多光谱硫化锌表面的HfON薄膜，所述薄膜制备方法为：一、对多光谱硫化锌基片分别采用去离子水冲洗、分析纯丙酮超声清洗和分析纯无水乙醇超声清洗，然后将基片表面擦净；二、在真空室内安装铪靶，然后安装多光谱硫化锌基片，铪靶和多光谱硫化锌基片之间设置挡板；三、将真空室抽真空至3.0×10-3～5.0×10-3Pa，并将基片加热到150～200℃；四、利用等离子体轰击清洗铪靶10～15分钟；五、离子轰击清洗铪靶后，打开挡板，采用离子束反应技术，并通入氮气和氧气，制备HfON薄膜。本发明为基底材料提供良好的物理、化学及红外光学性能的保护薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 2.5 10 um 谱段高透低 应力 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种2.5‑10um谱段高透低应力薄膜，其特征在于，所述薄膜为通过离子束反应技术镀制在多光谱硫化锌基片的HfON薄膜，薄膜厚度大于1μm小于2μm。
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