[发明专利]在铜籽晶层上电沉积金以形成金金属化结构的方法

摘要

本申请涉及在铜籽晶层上电沉积金以形成金金属化结构的方法。在半导体衬底上形成导电的阻挡层，使得阻挡层覆盖器件的第一端子。籽晶层形成在阻挡层上。籽晶层包括不同于金的贵金属。衬底被掩蔽，使得第一掩模开口与第一端子横向对准。籽晶层的未被掩蔽的部分使用金电解质溶液来电镀，使得形成在第一掩模开口中的第一金金属化结构。掩模、籽晶层的被掩蔽的部分以及阻挡层被去除。来自籽晶层的未被掩蔽的部分的贵金属被扩散到第一金金属化结构中。该第一金金属化结构经由阻挡层被电连接到第一端子。

主权项

1.一种形成用于电连接一个或多个半导体器件的金属化的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成导电的阻挡层，使得所述阻挡层覆盖形成在所述衬底中的器件的第一端子；在所述阻挡层上形成籽晶层，所述籽晶层在所述第一端子上方延伸并且包括不同于金的贵金属；利用具有与所述第一端子横向对准的第一开口的掩模对所述衬底进行掩蔽，使得所述籽晶层的未被掩蔽的部分由所述第一开口暴露并且使得所述籽晶层的被掩蔽的部分由所述掩模覆盖；使用金电解质溶液对所述籽晶层的所述未被掩蔽的部分进行电镀，使得形成布置在所述第一开口中的第一金金属化结构；去除所述掩模；去除所述籽晶层和所述阻挡层的所述被掩蔽的部分；以及将来自所述籽晶层的所述未被掩蔽的部分的所述贵金属扩散到所述第一金金属化结构中，其中所述第一金金属化结构经由所述阻挡层被电连接至所述第一端子，其中扩散所述贵金属包括将全部金属态的贵金属从所述籽晶层的所述未被掩蔽的部分扩散到所述第一金金属化结构中，使得来自所述第一金金属化结构的金直接地接触所述阻挡层。