[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201510600216.6 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105261651B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;许淼;梁擎擎;尹海洲 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的半导体鳍状结构；以及在鳍状结构中距离鳍状结构的顶面一定距离形成的穿通阻止层，其中，穿通阻止层沿鳍状结构的宽度方向具有掺杂浓度分布，使得穿通阻止层中间部分的掺杂浓度低于两端部分的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的半导体鳍状结构；以及在鳍状结构中距离鳍状结构的顶面一定距离形成的穿通阻止层，其中，穿通阻止层沿鳍状结构的宽度方向具有掺杂浓度分布，使得穿通阻止层的掺杂浓度分别从穿通阻止层的两端部分向着中间部分降低，其中，穿通阻止层是通过在脊状结构的下部侧壁上形成共形掺杂剂层，并进行热退火将掺杂剂层中的掺杂剂推入鳍状结构中直至连通来形成的，其中，所述半导体器件是鳍式场效应晶体管FinFET。
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