[发明专利]背侧照射和连接的图像传感器有效
| 申请号： | 201510600472.5 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN105702690B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | N·阿米德;M·马蒂 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及背侧照射和连接的图像传感器。一种图像传感器包括：半导体层；安置在半导体层的背侧上的绝缘层的堆叠；沿着堆叠的高度的一部分延伸并且与堆叠的暴露的表面齐平的导电层部分、从半导体层的前侧穿过其延伸并且穿透到所述层部分中的侧面绝缘的导电指、将像素区域分离的侧面绝缘的导电壁，这些壁从半导体层的前侧穿过其延伸并且具有比指低的高度以及安置在半导体层的前侧上并且包括与指接触的过孔的互连结构。 | ||
| 搜索关键词： | 照射 连接 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，包括：半导体层(1)；绝缘层(51、53、55)的堆叠(3)，安置在所述半导体层的背侧(F1)上；导电层部分(59)，沿着所述堆叠(3)的高度的一部分延伸并且与所述堆叠的暴露的表面齐平；侧面绝缘的导电指(57)，从所述半导体层(1)的前侧(F2)穿过所述半导体层(1)延伸并且穿透到所述导电层部分(59)中；侧面绝缘的导电壁(25)，将像素区域分离，这些壁从所述半导体层(1)的前侧(F2)穿过所述半导体层(1)延伸并且具有低于所述指(57)的高度；以及互连结构(5)，安置在所述半导体层(1)的前侧(F2)上并且包括与所述指(57)接触的过孔(13)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
