[发明专利]半导体存储装置及包括其的系统有效
申请号: | 201510600698.5 | 申请日: | 2015-09-18 |
公开(公告)号: | CN105609128B | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 尹大镐 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;毋二省 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种半导体存储装置,包括:DBI计算块、反相锁存块、反相数据选择输出块以及管道锁存块。DBI计算块执行DBI计算并基于DBI计算的结果来输出DBI结果信号。反相锁存块在DBI使能信号被使能时将数据反相并输出反相的数据。反相数据选择输出块响应于DBI结果信号和管道输入信号来输出反相的数据作为数据反相信号。管道锁存块接收未反相的数据和反相的数据,并根据DBI计算的结果来将数据和反相的数据中的一个输出。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储 装置 包括 系统 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,包括:DBI计算块,被配置为响应于数据而执行DBI计算并基于DBI计算的结果来输出DBI结果信号;反相锁存块,被配置为:在DBI使能信号被使能时,将所述数据反相与锁存、以及输出锁存的数据作为反相的数据;反相数据选择输出块,被配置为响应于所述DBI结果信号和管道输入信号来将所述反相的数据输出作为数据反相信号;以及管道锁存块,被配置为:响应于所述管道输入信号、管道输出信号以及所述数据反相信号而接收与锁存所述数据以及输出锁存的数据,其中,在所述管道输入信号被使能时,所述反相锁存块将所述数据反相与锁存、并且所述管道锁存块接收与锁存所述数据;以及在所述管道输入信号被禁止时,所述反相数据选择输出块响应于所述DBI结果信号来将所述反相的数据输出作为所述数据反相信号,并且所述管道锁存块响应于所述数据反相信号而将所述锁存的数据反相与锁存。
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