[发明专利]一种增强GaP粗糙表面的LED四元芯片的制备方法在审
| 申请号： | 201510601162.5 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN105304769A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 李晓明;陈康;刘琦;申加兵;徐现刚;夏伟 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/22 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种增强GaP粗糙表面的LED四元芯片的制备方法，包括如下步骤：(1)在LED四元芯片的GaP窗口层表面蒸镀上AuBe膜作为p型电极，通过退火使Au和Be分子扩散至GaP窗口层，再在所述AuBe膜上涂上正性光刻胶，然后进行光刻，在AuBe膜层表面保留正性光刻胶的电极图形；(2)配置AuBe腐蚀液；(3)在保留的正性光刻胶电极图形保护下，通过配置的AuBe腐蚀液腐蚀制备出金属电极及增强GaP粗糙表面。本发明通过在腐蚀液中添加有机表面活性剂，使LED四元芯片在腐蚀时能完全将扩散至GaP的Au和Be分子全部腐蚀掉，增强了GaP粗糙表面，得到更稳定的出射角度，提升LED四元芯片的出光效率并确保了电极不受损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 gap 粗糙 表面 led 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种增强GaP粗糙表面的LED四元芯片的制备方法，其特征是，包括如下步骤：(1)在LED四元芯片的GaP窗口层表面蒸镀上AuBe膜作为p型电极，通过退火使Au和Be分子扩散至GaP窗口层，再在所述AuBe膜上涂上正性光刻胶，然后进行光刻，在AuBe膜层表面保留正性光刻胶的电极图形；(2)配置AuBe腐蚀液；将碘、碘化钾和纯水按照质量比0.8～1:3～4:15～18的比例混合配置成混合液，再在混合液中添加混合液体积0.1％～0.5％的有机表面活性剂，配置成AuBe腐蚀液；(3)在步骤(1)保留的正性光刻胶电极图形保护下，通过步骤(2)配置的AuBe腐蚀液腐蚀制备出金属电极及增强GaP粗糙表面。
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