[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，包括：提供一半导体基底，在半导体基底之上依次形成介质层和应力缓冲层，刻蚀介质层和应力缓冲层，然后淀积第一金属层，对第一金属层刻蚀后，进行退火工艺，之后在第一金属层制备钝化层以形成半导体器件。其中，应力缓冲层的应力系数介于第一金属层的应力系数与介质层的应力系数之间。可以看出，在第一金属层与介质层之间间隔有应力缓冲层，而由于该应力缓冲层的应力系数在第一金属层的应力系数与介质层的应力系数之间，故该应力缓冲层能够在退火工艺中有效的缓冲第一金属层与介质层产生的应力差，进而有效的避免因退火而致使的金属脱落等缺陷的产生，以提高半导体器件的良率及性能。

主权项

1.一种制备半导体器件的方法，其特征在于，该方法包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底之上依次形成介质层和应力缓冲层；刻蚀所述介质层和所述应力缓冲层；淀积第一金属层；对所述第一金属层刻蚀后，进行退火工艺；在所述第一金属层制备钝化层以形成半导体器件；其中，所述应力缓冲层的应力系数介于所述第一金属层的应力系数与所述介质层的应力系数之间；所述半导体基底依次包括硅衬底、缓冲层、势垒层；所述刻蚀所述介质层和所述应力缓冲层，包括：刻蚀所述介质层和所述应力缓冲层形成栅极开口，所述栅极开口贯穿至所述势垒层；在所述栅极开口上制备栅介质层；所述淀积第一金属层，包括：在所述栅极开口上制备栅介质层之后，还包括：淀积第一金属层第一子层；刻蚀所述第一金属层第一子层、所述栅介质层、所述应力缓冲层和所述介质层，形成源极欧姆接触开口和漏极欧姆接触开口，所述源极欧姆接触开口和所述漏极欧姆接触开口贯穿至所述势垒层；淀积第一金属层第二子层；或者，所述半导体基底依次包括硅衬底、缓冲层、势垒层；所述刻蚀所述介质层和所述应力缓冲层，包括：刻蚀所述介质层和所述应力缓冲层形成阴极开口，所述阴极开口贯穿至所述势垒层；在所述第一金属层上制备钝化层，包括：制备所述钝化层后，刻蚀所述钝化层、所述应力缓冲层和所述介质层，形成阳极开口，所述阳极开口贯穿至所述势垒层；刻蚀所述钝化层至所述第一金属层，制备通孔。