[发明专利]一种TiAlV合金的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201510601726.5 | 申请日： | 2015-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN105220144B | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 吴连勇;雷述宇;何熙;方辉 | 申请（专利权）人： | 北方广微科技有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/12 | 分类号： | C23F1/12;C23F1/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙)11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种TiAlV合金的刻蚀方法，包括a.在半导体衬底上生长TiAlV合金薄膜；b.在所述TiAlV合金薄膜上涂覆光刻胶，并将所述光刻胶图形化；c.采用CL2、BCL3、N2的混合气体对所述TiAlV合金薄膜进行刻蚀；其中，所述混合气体中CL2、BCL3、N2的比例为111～122；d.去除光刻胶。本发明提出的干法刻蚀TiAlV合金的方法，对刻蚀中采用的刻蚀气体和刻蚀条件进行了精确的控制，利用不同的气体配比可以有效的以不同的速度形成刻蚀聚合物，从而达到对刻蚀形貌、刻蚀关键尺寸的有效控制，提高了该工艺的稳定性、重复性，降低大批量生产的成本，并提高良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tialv 合金 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种TiAlV合金的刻蚀方法，包括：a.在半导体衬底上生长TiAlV合金薄膜；b.在所述TiAlV合金薄膜上涂覆光刻胶，并将所述光刻胶图形化；c.采用CL2、BCL3、N2的混合气体对所述TiAlV合金薄膜进行刻蚀；其中，所述混合气体中CL2、BCL3、N2的比例为1:1:1～1:2:2；d.去除光刻胶。
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