[发明专利]防止堵塞的气体抽取装置及设置该装置的MOCVD设备有效
申请号: | 201510602068.1 | 申请日: | 2015-09-21 |
公开(公告)号: | CN106544639B | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 姜勇 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 徐雯琼;徐茂泰 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种防止堵塞的气体抽取装置,以及设置有该气体抽取装置的MOCVD设备。所述的MOCVD设备包含用于放置晶圆的反应腔以及设置在反应腔顶部的进气装置;气体抽取装置设置在反应腔底部,包含:多个抽气孔,沿周向均匀分布开设在气体抽取装置的顶部;多个防护结构,分别对应罩设在每个抽气孔的上方,防止沉积反应物从防护结构顶部落入抽气孔,同时允许工艺气体经过防护结构侧面的通气开口被气体抽气装置抽走。本发明能有效防止沉积反应物堵塞气体抽取装置的抽气孔,使反应腔内气体均匀分布,维持晶圆工艺的一致性,具有高可靠性和稳定性;并能有效延长MOCVD设备的开腔清理周期,提高工作效率,降低使用成本。 | ||
搜索关键词: | 防止 堵塞 气体 抽取 装置 设置 mocvd 设备 | ||
【主权项】:
1.一种防止堵塞的气体抽取装置,设置在MOCVD设备中,该MOCVD设备还包含用于放置晶圆的反应腔(1),以及设置在所述反应腔(1)顶部的进气装置,用于允许工艺气体进入;其特征在于,所述的气体抽取装置呈环状,设置在反应腔(1)的底部,包含:多个抽气孔,其沿周向均匀分布开设在所述的气体抽取装置的顶部;多个防护结构(65),其分别对应罩设在每个抽气孔的上方,用以防止沉积反应物从防护结构(65)顶部落入抽气孔,同时允许工艺气体经过所述防护结构(65)侧面的通气开口被气体抽气装置抽走;所述的防护结构(65)包含:防护管(651),呈筒状;防护盖(653),其覆盖设置在所述的防护管(651)的顶部;至少一个通气开口(652),其开设在所述的防护管(651)的侧壁上端,与抽气孔连通。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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