[发明专利]LED芯片抗断裂强度的测试方法及其测试装置

摘要

本发明提供一种LED芯片抗断裂强度的测试方法及其测试装置，包括长条形的LED芯片试样、“凹”字型测试模具、载物台、推拉力测试机以及推刀，所述LED芯片横跨于“凹”字型测试模具的开口之上，所述“凹”字型测试模具固定于所述载物台的中心位置，所述推拉力测试机控制推刀居中垂直于LED芯片上表面施加下压力，从而通过推刀单轴加载方式，实现三点弯曲。本发明可相对真实地模拟芯片在不同封装条件下可能的受力情况，作为不同尺寸芯片的抗断裂性能比对，以及同款芯片间抗断裂强度一致性的监控。

主权项

一种LED芯片抗断裂强度的测试方法，包括以下步骤：（a）准备好长条形的LED芯片作为试样、“凹”字型测试模具、载物台、推拉力测试机以及推刀；（b）将所述LED芯片置于所述“凹”字型测试模具上，使得LED芯片横跨于“凹”字型测试模具的开口之上；（c）将所述“凹”字型测试模具固定于所述载物台的中心位置，操作所述推拉力测试机，调整推刀居中垂直于LED芯片上表面，并加载下压力，LED芯片上表面受到压力，当载荷达到一定值时，芯片表面会产生破坏，造成芯片断裂，从而测量出芯片断裂所需施加力F值；（d）将步骤（c）测量出的F值代入公式模型σ_f=3FL/2bh²，其中σ_f为弯曲应力或弯曲强度；F为最大载荷或断裂弯曲载荷；L为“凹”字型测试模具的开口间距；b为LED芯片的短边宽度；h为LED芯片的厚度；（e）通过上述步骤，即可计算出LED芯片的弯曲强度σ_f。