[发明专利]一种电场和磁场共同调控的多阻态忆阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510602812.8 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN105161616B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 李小丽;贾娟;李洁;李燕春;许小红 | 申请（专利权）人： | 山西师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 041000 山西省临汾*** | 国省代码： | 山西;14 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种电场和磁场共同调控的多阻态忆阻器及其制备方法，包括基片和沉积于基片上的颗粒膜阻变功能层和顶电极构成，所述的基片为Pt/Ti/SiO2/Si基片，所述的沉积于基片上的颗粒膜阻变功能层为ZnO/ZnO‑Co，所述的顶电极为Pt或Au。本发明的有益效果在于本发明设计并制备了ZnO/ZnO‑Co复合阻变功能膜，并在以此为基础的Pt/ZnO/ZnO‑Co/Pt器件中同时发现了电致阻变效应和磁电阻效应两种重要性质。当在顶电极上加一定正电压时，器件由高阻态转变为低阻态，继而在顶电极上加一定负电压时，器件由低阻态变为高阻态。不论该器件处于高阻态还是低阻态，其在外加磁场下，均显示室温MR效应，因此，通过电场和磁场的共同调控可以实现四个电阻态，该器件可用于多态存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 磁场 共同 调控 多阻态忆阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电场和磁场共同调控的多阻态忆阻器，其特征在于：包括基片和沉积于基片上的颗粒膜阻变功能层和顶电极，所述的基片为Pt/Ti/SiO2/Si基片，其中基片上的Pt层作为底电极，所述的沉积于基片上的颗粒膜阻变功能层为ZnO/ZnO‑Co，所述的顶电极为Pt或Au，颗粒膜阻变功能层使用磁控溅射方法沉积于基片上，其中ZnO‑Co颗粒膜是通过交替沉积Co层和ZnO层获得，Co层和ZnO层体积比为3:2至3:10。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山西师范大学，未经山西师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510602812.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
