[发明专利]一种用于LED光源的芯片及其制备方法和光源在审
| 申请号： | 201510602855.6 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN106558596A | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 庄欣谚;舒军 | 申请（专利权）人： | 江西宝盛半导体能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/64;H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330600 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于LED光源的芯片及其制备方法。属于LED技术领域，本发明所述的LED光源用的芯片，包含两个或两个以上的发光单体，发光单体直接或间接与电源电性连接，提高了芯片的出光率，增大了热散，并且利于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 led 光源 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于LED光源的芯片，包括外延衬底层、外延层、电流扩散层、P/N极，其特征在于每个芯片由2个或2个以上的发光单体构成，每个发光单体除了外延层中衬底层以上至外延层中N平台层，外延层其他部分及电流扩散层均独立设置，每个发光单体上面都分别有一个P极和一个N极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西宝盛半导体能源科技有限公司，未经江西宝盛半导体能源科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510602855.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于形成半导体图像传感器器件和结构的方法
- 下一篇：发光器件封装件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
