[发明专利]用于高频通信的650半导体激光芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201510602924.3 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN105071222A | 公开（公告）日： | 2015-11-18 |
| 发明（设计）人： | 汤庆敏;张新;刘存志;张骋;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/32 | 分类号： | H01S5/32 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 250101 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种用于高频通信的650半导体激光芯片及其制备方法，该芯片厚度为125-145μm，衬底层的N电极和有源区P面电极之间距离为125-145μm；有源区P面电极的正投影面积仅存有源区P面电极与P面电极焊盘区域。在芯片制备过程，优选了芯片有源区P面电极的结构设计，减小有源区P面电极面积至仅存P面脊区与焊盘区域，其脊区偏向芯片一端，将焊盘位于芯片中央可实现脉冲驱动下的650半导体激光器更高的频率响应时间，从而实现通信的高速传输。本发明提升了半导体激光芯片的频率响应时间，满足高频通信中采用的脉冲驱动，从而可以将廉价的650半导体激光器用于通信的光源，从而达成了塑料光纤取代石英光纤而实现高速传输的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 高频 通信 650 半导体 激光 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于高频通信的650半导体激光芯片，其结构自下至上依次为衬底层、下限制层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、上限制层和欧姆接触层；衬底层上设置N电极，有源区上设置P面电极；其特征是，芯片厚度为125‑145μm，N电极和P面电极之间距离为125‑145μm；P面电极的正投影面积仅存P面电极脊区与P面电极焊盘区域。
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