[发明专利]半导体器件及制造其的方法有效
| 申请号： | 201510603178.X | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN106024790B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 郭尚炫 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11573;H01L27/11582;H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件可以包括：衬底，提供在外围区；第一绝缘柱和第二绝缘柱，形成在衬底中；以及栅电极，沿第一方向从第一绝缘柱之上延伸至第二绝缘柱之上；其中，栅电极包括第一刻蚀停止图案和第二刻蚀停止图案，其中，第一刻蚀停止图案沿第一方向从栅电极内部延伸至第一绝缘柱之上，以及其中，第二刻蚀停止图案沿第一方向从栅电极内部延伸至第二绝缘柱之上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底，包括在其中限定有源区的高压晶体管区；绝缘柱，彼此分离并且形成在有源区中；栅电极，布置在衬底之上，其中栅电极的两端分别与绝缘柱重叠；以及刻蚀停止图案，掩埋在栅电极中并且分别与绝缘柱重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
