[发明专利]一种波状PIN电光调制器结构

摘要

本发明公开的一种波状PIN电光调制器结构，包括有N‑Sub型衬底，N‑Sub型衬底的上部设置有SiO2埋层，SiO2埋层上部的两侧各设置分别设置有波状P+阱区、波状N+阱区，SiO2埋层上部的波状P+阱区、波状N+阱区之间设置有本征N型调制区，波状P+阱区的上部配设有第一电极，波状N+阱区的上部配设有第二电极，第一电极、本征N型调制区及第二电极的上部覆盖有SiO2覆盖层。本发明的波状PIN电光调制器结构，不仅有效降低PIN电光调制器的发热，抑制热光效应对PIN电光调制器的影响，还能高载流子注入，增强等离子色散效应。

主权项

1.一种波状PIN电光调制器结构，其特征在于，包括有N-Sub型衬底(8)，所述N-Sub型衬底(8)的上部设置有SiO2埋层(7)，所述SiO2埋层(7)上部的两侧各设置分别设置有波状P+阱区(1)、波状N+阱区(3)，所述SiO2埋层(7)上部的波状P+阱区(1)、波状N+阱区(3)之间设置有本征N型调制区(2)，所述波状P+阱区(1)的上部配设有第一电极(4)，所述波状N+阱区(3)的上部配设有第二电极(5)，所述第一电极(4)、本征N型调制区(2)及第二电极(5)的上部覆盖有SiO2覆盖层(6)；所述波状P+阱区(1)的掺杂浓度为1×1019cm-3～5×1019cm-3，掺杂剂为B离子；所述波状P+阱区(1)的高度为0.05μm，宽度为0.5μm～0.8μm，波状区间距为0.1μm～0.3μm；所述波状N+阱区(3)的掺杂浓度为1×1019cm-3～5×1019cm-3，掺杂剂为P离子；所述波状N+阱区(3)的高度为0.05μm，宽度为0.5μm～0.8μm，波状区间距为0.1μm～0.3μm；所述本征N型调制区(2)的掺杂浓度为1×1015cm-3，掺杂剂为P离子，所述本征N型调制区(2)的中心高度为0.22μm，两侧高度为0.05μm，上部宽度为0.5μm～0.6μm，下部宽度为1.1μm～1.6μm。