[发明专利]一种H2处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其制备方法

摘要

一种H2处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其制备方法，该制备方法包括1)在生长有SiO2的Si基片上溅射IGZO非晶薄膜，得到生长有IGZO非晶薄膜的硅基片；2)将生长有IGZO非晶薄膜的硅基片利用气氛保护退火管式炉在N2气氛下350‑450℃保温45‑75分钟，得到非晶IGZO透明氧化物薄膜。本发明制备的非晶IGZO透明氧化物薄膜包括In、Ga、Zn及O四种成分；其中，In的原子数百分含量为18～21％，Ga的原子数百分含量为18～21％，Zn的原子数百分含量为8～10％，O的原子数百分含量为48～56％。本发明由于改变了退火温度，一方面减少薄膜内部缺陷，提高其稳定性；另一方面提高了氧空位的浓度，进而提高载流子浓度，降低器件电阻，提高了IGZO透明薄膜的导电能力。进而在一定程度上提升了器件的运作速度，抗干扰能力。

主权项

一种H2处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在生长有SiO2的Si基片上溅射IGZO非晶薄膜，得到生长有IGZO非晶薄膜的硅基片；采用JPG‑450a型双室磁控溅射设备溅射IGZO非晶薄膜，其中，靶材为IGZO靶，通入纯度为99.99％的氩气；溅射功率80W，偏压‑100V，氩气流量50sccm，工作气压为0.2Pa；预溅射时间为15min，溅射时间为90min；2)将生长有IGZO非晶薄膜的硅基片利用气氛保护退火管式炉在体积分数为3～5％的H2气氛下350‑450℃保温45‑75分钟，得到非晶IGZO透明氧化物薄膜。