[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510604676.6 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN106549014B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 许静;闫江;陈邦明;王红丽;唐波;徐烨锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06;H01L27/02;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括：半导体衬底；半导体衬底上的MOS器件；MOS器件之间的隔离；隔离区域上的电阻结构；覆盖MOS器件及电阻结构的介质层。采用本发明的器件，在MOS器件受到损伤，尤其是栅极的损伤缺陷时，通过给电阻结构通电，可以对MOS器件进行加热，从而使界面陷阱处或栅介质中氧空位捕获的电荷得以释放，达到损伤被修复的目的；同时，也可以使层间介质或栅电极等膜层中所带的H离子释放至界面处，进行缺陷的修复。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；半导体衬底上的MOS器件；MOS器件之间的隔离；隔离区域上的电阻结构；覆盖MOS器件及电阻结构的介质层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
