[发明专利]一种高方阻电池片的扩散制备方法

摘要

本发明公开了一种高方阻太阳能电池片的扩散制备方法，该方法包括将硅片置于氮气气氛的扩散炉中，并在低温条件下，向扩散炉中通入低浓度氧气；之后提升氧气流量，并向所述扩散炉中通入携磷源气体和减小了流量的氮气；升温后继续向扩散炉中通入提升了流量的氧气，和减小了流量的氮气以及携磷源气体；继续提升氧气流量，减小氮气流量；降温，并将所述硅片从所述扩散炉中取出。本发明采用四步梯度通氧的方法，可有效降低硅片表面浓度，减少载流子表面复合，通过降低硅片表面浓度从而提升扩散方阻，进而提高太阳能电池片的效率。

主权项

一种高方阻太阳能电池片的扩散制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将硅片置于扩散炉中，并在低温条件下，向所述扩散炉中通入低浓度氧气；所述氧气流量为0.3L/min～1.5L/min；所述扩散炉中为氮气气氛；所述氮气流量为19L/min～21L/min；所述低温条件的温度范围为700℃～800℃；b)继续向所述扩散炉中通入氧气，所述氧气流量为0.6L/min～1.8L/min；向所述扩散炉中通入携磷源气体和氮气；所述氮气流量为18.7L/min～20.7L/min；c)将温度提升至高温条件，继续向所述扩散炉中通入氧气，所述氧气流量为0.9L/min～2.1L/min；向所述扩散炉中通入携磷源气体和氮气，所述氮气流量为18.4L/min～20.4L/min；所述高温条件的温度范围为800℃～900℃；d)继续向所述扩散炉中通入氧气，所述氧气流量为1.2L/min～2.4L/min；向所述扩散炉中通入携磷源气体和氮气，所述氮气流量为18.1L/min～20.1L/min；e)降温，并将所述硅片从所述扩散炉中取出；从所述步骤a)至所述步骤d)，氧气流量成梯度上升；所述携磷源气体流量保持不变，并通过调节所述氮气流量使通入所述扩散炉中的气体总流量提升。