[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510605350.5 | 申请日： | 2015-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN106549016B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 朱正勇;毛淑娟;殷华湘 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：第一外延层，在衬底上；第二外延层，在第一外延层上；第一源/漏区和第二源/漏区，在第一外延层和第二外延层中；第一沟道，由第一源/漏区之间的第二外延层构成；第一栅极堆叠，在第一沟道上，第一源/漏区、第一沟道和第一栅极堆叠构成第一器件；第二沟道，由第二源漏区之间的第一外延层构成；第二栅极堆叠，在第二沟道上，第二源/漏区、第二沟道和第二栅极堆叠构成第二器件。依照本发明的半导体及其制作方法，通过选择性刻蚀去除衬底上叠置的两个外延层之一，针对NMOS和PMOS形成不同材料的沟道，简单有效地提高了载流子迁移率和CMOS驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一外延层，在衬底上；第二外延层，在第一外延层上；第一源/漏区和第二源/漏区，在第一外延层和第二外延层中；第一沟道，由第一源/漏区之间的第二外延层构成；第一栅极堆叠，在第一沟道上，第一源/漏区、第一沟道和第一栅极堆叠构成第一器件；第二沟道，由第二源/漏区之间的第一外延层构成，第二沟道上还具有残留的第二外延层；第二栅极堆叠，在第二沟道上，第二源/漏区、第二沟道和第二栅极堆叠构成第二器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
