[发明专利]IGBT及制造功率半导体二极管的方法有效
| 申请号： | 201510605354.3 | 申请日： | 2012-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN105304695B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 霍尔格·豪斯肯;安东·毛德;沃尔夫冈·勒斯纳;汉斯-约阿希姆·舒尔茨 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/861;H01L29/872;H01L29/06;H01L29/36;H01L29/66;H01L29/16;H01L29/22 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 梁丽超;刘瑞贤 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本申请公开了IGBT及制造功率半导体二极管的方法。一种IGBT，包括：半导体衬底，包括第一导电型的源极区域、第二导电型的本体区域、所述第一导电型的漂移区以及所述第二导电型的发射极区域；源极金属化，所述源极金属化与所述源极区域接触；发射极金属化，所述发射极金属化与所述发射极区域接触，所述发射极区域包括所述第二导电型的第一掺杂区域以及所述第二导电型的第二掺杂区域，所述第一掺杂区域与所述发射极金属化形成欧姆接触，所述第二掺杂区域与所述发射极金属化形成非欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 制造 功率 半导体 二极管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造功率半导体器件的方法，所述方法包括：形成第一导电型的漂移区、第二导电型的第二发射极区域、位于所述第二发射极区域和所述漂移区之间的pn结以及第一发射极区域，所述第一发射极区域包括所述第一导电型的第一掺杂区域和所述第一导电型的第二掺杂区域；形成与所述第一发射极区域接触的第一发射极金属化，以在所述第一发射极金属化与所述第一发射极区域的所述第一掺杂区域之间形成欧姆接触，并且在所述第一发射极金属化与所述第一发射极区域的所述第二掺杂区域之间形成非欧姆接触；以及形成与所述第二发射极区域接触的第二发射极金属化，其中，所述第一发射极金属化和所述第二发射极金属化形成在所述功率半导体器件的相对侧，使用相对于所述第二发射极区域对齐的掩模形成所述第一发射极区域，使得所述第一掺杂区域形成为与所述第二发射极区域对齐。
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