[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置。本发明的一个目的为通过减小光电传感器中的晶体管的截止状态电流来实现低功耗。该半导体装置包括：具有光电二极管、第一晶体管和第二晶体管的光电传感器；以及包括读取控制晶体管的读取控制电路，其中所述光电二极管具有向所述第一晶体管的栅极提供基于入射光的电荷的功能；所述第一晶体管具有存储提供至其栅极的电荷以及将所存储的电荷转换为输出信号的功能；所述第二晶体管具有对所述输出信号的读取进行控制的功能；所述读取控制晶体管用作将所述输出信号转换为电压信号的电阻器；且所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述读取控制晶体管的半导体层使用氧化物半导体来形成。

主权项

1.一种半导体装置，包括：第一晶体管，第二晶体管，所述第二晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第一晶体管的源极和漏极之一；包括第三晶体管的读取控制电路，所述第三晶体管的源极和漏极之一电连接到所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个；所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管上的绝缘层；以及所述绝缘层上的光电二极管，所述光电二极管电连接到所述第一晶体管的栅极，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管的每一个包括氧化物半导体层，其中，所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的所述另一个电连接到第一布线，所述第一布线被配置由第一基准电位供电，其中，所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个电连接到第二布线，所述第二布线被配置由第二基准电位供电，以及其中，所述第一基准电位高于所述第二基准电位。