[发明专利]基于陷阱产生效应的半导体存储器件及其制备方法与应用

摘要

本发明提供了基于陷阱产生效应的半导体存储器件及其制备方法与应用，该半导体电容器件的制备具体为：选取高掺杂的N型或P型材料，通过离子注入法或扩散法形成与衬底区掺杂相反的浮动电压区和漏区；在浮动电压区和沟道区上生长氧化绝缘栅层，并在氧化绝缘栅层内且位于漏区与沟道区结合处的正上方嵌入浮栅层；通过金属淀积工艺，分别形成栅电极层、漏电极层和衬底电极层。本发明制备方法得到的半导体电容器件通过基于陷阱的产生效应，能够非常有效进行信息的写入和擦除，可为具有极低功耗要求的特殊芯片提供的基本的半导体存储单元器件，兼容性更好。

主权项

基于陷阱产生效应的的半导体存储器件，其特征在于，包括衬底区，所述衬底区底部设有衬底电极层，所述衬底区在远离所述衬底电极层方向的顶部设有凸台状的沟道区，所述沟道区两侧且位于衬底区顶部分别设有浮动电压区以及漏区；所述浮动电压区、沟道区上覆盖氧化绝缘栅层，且所述氧化绝缘栅层部分覆盖在漏区上；所述氧化绝缘栅层内且位于所述漏区与沟道区结合处的正上方设有浮栅区；所述漏区上设有漏电极层，所述漏电极层与氧化绝缘栅层相邻；所述氧化绝缘栅层上设有栅电极层。