[发明专利]一种高击穿电压氮化镓基高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201510608178.9 | 申请日： | 2015-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105261643B | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 赵子奇;桂进争;周幸叶;姜涛;张后程;胡子阳 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 宁波诚源专利事务所有限公司33102 | 代理人： | 张一平 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高击穿电压氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次主要由衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层以及在AlGaN势垒层上形成的源极、漏极和栅极组成，其特征在于，还包括位于AlGaN势垒层之上、栅极与漏极之间的Al组分渐变的AlxGa1‑xN极化掺杂层。AlxGa1‑xN极化掺杂层内的Al组分从上至下线性增大，通过Al组分渐变而产生的三维空穴气与沟道二维电子气相互补偿，形成电荷自平衡的超结结构，解决了电荷不平衡问题，提升了器件击穿电压和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 击穿 电压 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种高击穿电压氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次主要由衬底(101)、AlN成核层(102)、GaN缓冲层(103)、GaN沟道层(104)、AlGaN势垒层(105)以及在AlGaN势垒层(105)上形成的源极(106)、漏极(107)和栅极(108)组成，其特征在于，还包括位于AlGaN势垒层(105)之上、栅极(108)与漏极(107)之间的Al组分渐变的AlxGa1‑xN极化掺杂层(109)；所述AlxGa1‑xN极化掺杂层(109)的上表面Al组分为0，AlxGa1‑xN极化掺杂层(109)的下表面Al组分与AlGaN势垒层(105)组分相同，从上至下线性增大。
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