[发明专利]一种平面型STT-MRAM记忆单元及其读写方法

摘要

本发明提供一种平面型STT‑MRAM记忆单元。此STT‑MRAM记忆单元包括：磁性参考层、磁性记忆层、隧道势垒层、磁晶优化辅助层、置压层和控制线；磁晶优化辅助层与磁性记忆层相邻并且设置于磁性记忆层远离衬底基片的一面；置压层与磁晶优化辅助层相邻并且设置于磁晶优化辅助层远离衬底基片的一面；控制线与置压层相邻并且设置于置压层远离衬底基片的一面。本发明还提供了一种平面型STT‑MRAM的读写方法，包括读操作时，在控制线与位线之间加正向偏置电压，产生的电场使磁性记忆层的垂直各向异性减小，面内各向异性增强；写操作时，在控制线与位线之间加负向偏置电压，产生的电场使磁性记忆层的垂直各向异性增强，面内各向异性减弱。

主权项

1.一种平面型STT‑MRAM记忆单元，包括位线和堆叠结构，所述堆叠结构包括：磁性参考层，所述磁性参考层的磁化方向不变且磁各向异性平行于层表面；磁性记忆层，所述磁性记忆层的磁化方向可变且磁各向异性平行于层表面；隧道势垒层，所述隧道势垒层位于所述磁性参考层和所述磁性记忆层之间且分别与所述磁性参考层和所述磁性记忆层相邻；其特征在于，还包括：磁晶优化辅助层，所述磁晶优化辅助层与所述磁性记忆层相邻并且设置于所述磁性记忆层远离衬底基片的一面；置压层，所述置压层与所述磁晶优化辅助层相邻并且设置于所述磁晶优化辅助层远离所述衬底基片的一面；控制线，所述控制线与所述置压层相邻并且设置于所述置压层远离所述衬底基片的一面；所述磁性记忆层与所述位线相连。