[发明专利]改进多重图形化掩膜层的方法有效
| 申请号： | 201510608988.4 | 申请日： | 2015-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN105206512B | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种改进多重图形化掩膜层的方法。改进多重图形化掩膜层的方法，方法包括：提供一衬底，在衬底上沉积一层硬掩膜；在硬掩膜上沉积第一牺牲层与第二牺牲层，并使第一牺牲层、第二牺牲层图案化；沉积第三牺牲层，第三牺牲层的表面与第二牺牲层齐平；移除第二牺牲层，并通过刻蚀工艺形成侧墙。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 多重 图形 化掩膜层 方法 | ||
【主权项】：
1.改进多重图形化掩膜层的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底，在所述衬底上沉积一层硬掩膜；在所述硬掩膜上沉积第一牺牲层与第二牺牲层，并使所述第一牺牲层、所述第二牺牲层图案化；沉积第三牺牲层，所述第三牺牲层的表面与所述第二牺牲层齐平；移除所述第二牺牲层，并通过刻蚀工艺形成侧墙；所述第一牺牲层、第二牺牲层图案化后，所述第一牺牲层的侧壁为垂直，所述第二牺牲层的侧壁为倾斜；移除所述第二牺牲层的同时，将所述第一牺牲层一并移除，之后于所述第三牺牲层上沉积一第四牺牲层；其中，通过所述刻蚀工艺刻蚀所述第四牺牲层，形成侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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