[发明专利]降低VDMOS功率器件的Cgd电容的方法在审
| 申请号： | 201510609162.X | 申请日： | 2015-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN106548942A | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | 张文涛 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所31283 | 代理人： | 薛琦,罗朗 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低VDMOS功率器件的Cgd电容的方法，对于VDMOS功率器件中的每个VDMOS元胞，在P-body及N+源极完成之后，在POLY栅极采用多晶开槽光刻板将两个P-body之间的POLY刻掉。本发明可以有效降低高频VDMOS功率器件的Cgd电容，缩短关断延迟时间，从而减少功率损耗，达到节能减排的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 vdmos 功率 器件 cgd 电容 方法 | ||
【主权项】：
一种降低VDMOS功率器件的Cgd电容的方法，其特征在于，对于VDMOS功率器件中的每个VDMOS元胞，在P‑body及N+源极完成之后，在POLY栅极采用多晶开槽光刻板将两个P‑body之间的POLY刻掉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
