[发明专利]提升晶圆离子植入剂量比例的离子布植方法与系统有效

专利信息
申请号: 201510610693.0 申请日: 2015-09-23
公开(公告)号: CN105655219B 公开(公告)日: 2018-06-15
发明(设计)人: 蔡志昌;陆红 申请(专利权)人: 汉辰科技股份有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01J37/302
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 韦东
地址: 中国台湾新竹县宝山乡*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提出一种提升晶圆离子植入剂量比例的离子布植方法与系统,以让离子束仅仅扫描部分的晶圆的方式来达到高对比剂量布植。本发明所述方法包括:提供晶圆与离子束,该晶圆有至少一个布植区域与至少一个非布植区域;以及以至少一个横向移动步骤使该离子束扫描该晶圆,其中所述横向移动步骤使该离子束仅扫描通过所述布植区域而不会扫描通过所述非布植区域。 1
搜索关键词: 晶圆 布植区域 离子 离子束 布植 扫描 植入 离子束扫描 高对比
【主权项】:
1.一种提升晶圆离子植入剂量比例的离子布植方法,其特征在于,所述方法包含:

提供晶圆与离子束,该晶圆有至少一个布植区域与至少一个非布植区域;以及

使所述晶圆在与离子束交错的平面上进行横向移动与纵向移动,藉以让离子束仅仅扫描通过晶圆中布植区域而不会扫描通过晶圆中的非布植区域。

2.如权利要求1所述的离子布植方法,其特征在于,该离子束的横截面的高度小于该晶圆的直径。

3.如权利要求1所述的离子布植方法,其特征在于,所述方法至少一个横向移动步骤和至少一个纵向移动步骤,所述横向移动步骤使该离子束仅扫描通过所述布植区域而不会扫描通过所述非布植区域,任一所述纵向移动步骤用以在一个横向移动步骤结束之后与下一个横向移动步骤进行之前,将该晶圆纵向移动。

4.如权利要求3所述的离子布植方法,其特征在于,所述纵向移动步骤过程中该晶圆不会被该离子束所扫描通过。

5.如权利要求3所述的离子布植方法,其特征在于,所述方法还包括在一个横向移动步骤结束之后与下一个横向移动步骤进行之前转动该晶圆。

6.如权利要求5所述的离子布植方法,其特征在于,每次转动该晶圆时的转动角度都是相同的。

7.如权利要求1所述的离子布植方法,其特征在于,该布植区域为条状布植区域。

8.如权利要求5所述的离子布植方法,其特征在于,该晶圆转动四次,每次90度,以形成十字条纹布植区域、窗格状布植区域、正方形或长方形布植区域。

9.如权利要求5所述的离子布植方法,其特征在于,该晶圆转动八次以上,以形成环状布植区域。

10.一种离子布植系统,其特征在于,所述系统包含:

离子束总成,用以提供离子束;

晶圆承载机构,用以将晶圆于与该离子束交错的平面上移动;以及

控制单元,用以控制该离子束总成与该晶圆承载机构执行一离子布植方法,该离子布植方法包含:

当该晶圆有至少一个布植区域与至少一个非布植区域时,以在与离子束交错的平面上进行横向移动与纵向移动,藉以让离子束仅仅扫描通过晶圆中布植区域而不会扫描通过晶圆中的非布植区域。

11.如权利要求10所述的离子布植系统,其特征在于,所述系统还包含用以控制该晶圆承载机构的可程序多轴控制器。

12.如权利要求11所述的离子布植系统,其特征在于,该离子布植方法系藉由输入参数值至该可程序多轴控制器执行。

13.如权利要求12所述的离子布植系统,其特征在于,所述系统还包含:

传感器,用以获得该离子束的信息;以及

剂量仿真器,用以执行扫描途径分布,包含马达速度分布与省略扫描分布,以找出符合晶圆剂量分布需求的参数值。

14.如权利要求10所述的离子布植系统,其特征在于,该离子束总成所提供的离子束的横截面高度小于该晶圆的直径。

15.如权利要求10所述的离子布植系统,其特征在于,该控制单元所控制执行的离子布植方法包含至少一个横向移动步骤和至少一个纵向移动步骤,所述至少一个横向移动步骤使得该离子束仅扫描通过所述布植区域而不会扫描通过所述非布植区域,任一所述纵向移动步骤用以在一个横向移动步骤结束之后与下一个横向移动步骤进行之前,将该晶圆纵向移动。

16.如权利要求15所述的离子布植系统,其特征在于,该控制单元使得所述纵向移动步骤过程中该晶圆不会被该离子束所扫描通过。

17.如权利要求15所述的离子布植系统,其特征在于,该控制单元可以在一个横向移动步骤结束之后与下一个横向移动步骤进行之前转动该晶圆。

18.如权利要求17所述的离子布植系统,其特征在于,该控制单元使得每次转动该晶圆时的转动角度都是相同的。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于汉辰科技股份有限公司,未经汉辰科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510610693.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top