[发明专利]一种基于弯月面受限局部电镀的超疏水表面的制备方法有效
申请号: | 201510610955.3 | 申请日: | 2015-09-21 |
公开(公告)号: | CN105293427B | 公开(公告)日: | 2017-03-22 |
发明(设计)人: | 孙广毅;蒋秀芬;张春来;赵新 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;C25D5/02 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司12002 | 代理人: | 侯力 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 一种基于弯月面受限局部电镀的超疏水表面的制备方法,步骤如下1)在基底表面采用刻蚀法、生长法、电镀法、光刻法、沉积法或剥离法局部制备微纳结构,所制备的微纳结构为柱、锥、槽或孔阵列,制得尺寸为微米级或纳米级的微纳结构基底;2)在微纳结构表面采用旋涂法、喷涂法、浸润法、蒸发法或溅射法制备疏水涂层;3)在微纳结构的顶部进行局部电镀电镀液在微纳结构顶部形成弯月面,弯月面底部与微纳结构侧壁和基底表面构成气穴。本发明的优点是与超疏水表面相比,本方法制备的超疏水表面微纳结构顶端亲水侧壁疏水,气体层更加稳定,在自清洁和水下减阻等领域都有着重要的实用价值和良好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 弯月面 受限 局部 电镀 疏水 表面 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于弯月面受限局部电镀的超疏水表面的制备方法,其特征在于步骤如下:1)在基底表面采用刻蚀法、生长法、电镀法、光刻法、沉积法或剥离法局部制备微纳结构,所述基底的材料为硅、镍、铜或锌,所制备的微纳结构为柱、锥、槽或孔阵列,制得尺寸为微米级或纳米级的微纳结构基底;2)在上述微纳结构(2)表面采用旋涂法、喷涂法、浸润法、蒸发法或溅射法制备疏水涂层,疏水涂层材料为本征静态接触角大于90度的任意疏水材料,得到带有疏水涂层的微纳结构;3)在上述带有疏水涂层的微纳结构的顶部进行局部电镀,所用电镀材料为铜、镍、锌、金或银;电镀液在微纳结构顶部形成弯月面,弯月面底部与微纳结构侧壁和基底表面构成气穴,电镀开始时使用的电流密度大于电镀过程中使用的电流密度,用以击穿表面涂敷的疏水涂层,电镀过程中使用恒定电流密度用以保证电镀层的均匀性。
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