[发明专利]一种正交晶系黑磷单晶的制备方法有效
| 申请号： | 201510612259.6 | 申请日： | 2015-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN105133009B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 严清峰;张子明 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B1/10 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司11283 | 代理人： | 严政,李婉婉 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种正交晶系黑磷单晶的制备方法，该方法包括在设置有相互连通的第一区域和第二区域的反应体系中，且在真空条件下，使得红磷、金属锡和碘单质在反应体系的第一区域进行接触反应，其中，在所述接触反应过程中，将所述反应体系的第一区域的温度升至550‑800℃，将所述反应体系的第二区域的温度升至400‑700℃，且将所述反应体系的第一区域的温度升至比所述反应体系的第二区域的高的温度。本发明的方法能够以较低的成本和较高的操作安全性制得正交晶系黑磷单晶，特别是以较高的收率制得体积较大的好品质正交晶系黑磷单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 正交 晶系 黑磷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种正交晶系黑磷单晶的制备方法，其特征在于，该方法包括：在设置有相互连通的第一区域和第二区域的反应体系中，且在真空条件下，使得红磷、金属锡和碘单质在反应体系的第一区域进行接触反应，其中，在所述接触反应过程中，将所述反应体系的第一区域的温度升至550‑800℃，将所述反应体系的第二区域的温度升至400‑700℃，且将所述反应体系的第一区域的温度升至比所述反应体系的第二区域的高的温度。
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