[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法包括：对第一栅极结构两侧的PMOS周边区基底进行第一离子注入工艺，在第一周边源漏区下方形成第一缓变结区；对第一周边源漏区和第一核心源漏区进行第二离子注入工艺，在第一周边源漏区表面和第一核心源漏区表面形成第一接触电阻区；对第三栅极结构两侧的NMOS周边区基底进行第三离子注入工艺，在第二周边源漏区下方形成第二缓变结区；对第二周边源漏区和第二核心源漏区进行第四离子注入工艺，在所述第二周边源漏区表面和第二核心源漏区表面形成第二接触电阻区。本发明在减少输入/输出器件的结漏电流的同时，改善核心器件的短沟道效应问题，从而改善形成的半导体器件的电学性能。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供包括核心区和周边区的基底，所述核心区包括NMOS核心区和PMOS核心区，所述周边区包括NMOS周边区和PMOS周边区，其中，所述PMOS周边区基底表面形成有第一栅极结构，所述PMOS核心区基底表面形成有第二栅极结构，所述NMOS周边区基底表面形成有第三栅极结构，所述NMOS核心区基底表面形成有第四栅极结构，所述第一栅极结构两侧的PMOS周边区基底内形成有第一周边源漏区，所述第二栅极结构两侧的PMOS核心区基底内形成有第一核心源漏区，所述第三栅极结构两侧的NMOS周边区基底内形成有第二周边源漏区，所述第四栅极结构两侧的NMOS核心区基底内形成有第二核心源漏区；对所述第一栅极结构两侧的PMOS周边区基底进行第一离子注入工艺，在所述第一周边源漏区下方形成第一缓变结区，所述第一离子注入工艺的注入离子为P型离子；对所述第一周边源漏区和第一核心源漏区进行第二离子注入工艺，在所述第一周边源漏区表面和第一核心源漏区表面形成第一接触电阻区，所述第二离子注入工艺的注入离子为P型离子；对所述第三栅极结构两侧的NMOS周边区基底进行第三离子注入工艺，在所述第二周边源漏区下方形成第二缓变结区，所述第三离子注入工艺的注入离子为N型离子；对所述第二周边源漏区和第二核心源漏区进行第四离子注入工艺，在所述第二周边源漏区表面和第二核心源漏区表面形成第二接触电阻区，所述第四离子注入工艺的注入离子为N型离子。