[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201510613414.6 | 申请日： | 2015-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN105070766B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 黄勇潮 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/423;H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，可采用Cu和Cu合金作为电极材料，防止Cu氧化。该薄膜晶体管包括：设置在衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、半导体有源层、源电极和漏电极；所述栅电极和/或所述源电极和所述漏电极采用Cu或Cu合金材料；所述薄膜晶体管还包括：拓扑绝缘体材料的防氧化层，所述防氧化层设置在采用Cu或Cu合金材料的电极上方并与其接触。用于使用Cu或Cu合金作为电极的显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的栅电极、栅绝缘层、半导体有源层、源电极和漏电极；其特征在于，所述栅电极和/或所述源电极和所述漏电极采用Cu或Cu合金材料；所述薄膜晶体管还包括：拓扑绝缘体材料的防氧化层，所述防氧化层设置在采用Cu或Cu合金材料的电极上方并与其接触。
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