[发明专利]一种提取半导体缺陷能级的方法及系统在审
| 申请号： | 201510613517.2 | 申请日： | 2015-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN106556789A | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 祁路伟;任尚清;杨红 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人： | 洪余节,党丽 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提取半导体缺陷能级的方法及系统，包括通过正偏压温度不稳定性测试，获取施加栅极应力电压以及不同的栅极恢复电压后nMOS器件的阈值电压；根据施加所述不同的栅极恢复电压相对于施加栅极应力电压后nMOS器件的阈值电压的漂移量，获取所述不同的栅极恢复电压相应的栅介质层的缺陷面密度，并获得所述不同的栅极恢复电压与所述栅介质层的缺陷面密度的对应关系；获取所述不同的栅极恢复电压与缺陷能级的对应关系；获取所述栅介质层的缺陷面密度与所述缺陷能级的对应关系。本发明提供的方法能提取栅介质层缺陷能级及缺陷面密度之间的关系，以便于提高器件性能及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提取 半导体 缺陷 能级 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种提取半导体缺陷能级的方法，其特征在于，包括步骤：通过正偏压温度不稳定性测试，获取施加栅极应力电压以及不同的栅极恢复电压后nMOS器件的阈值电压；根据施加所述不同的栅极恢复电压相对于施加栅极应力电压后nMOS器件的阈值电压的漂移量，获取所述不同的栅极恢复电压相应的栅介质层的缺陷面密度，并获得所述不同的栅极恢复电压与所述栅介质层的缺陷面密度的对应关系；获取所述不同的栅极恢复电压与缺陷能级的对应关系；获取所述栅介质层的缺陷面密度与所述缺陷能级的对应关系。
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