[发明专利]基于MOSFET的低场核磁共振Q转换电路有效

专利信息
申请号: 201510613680.9 申请日: 2015-09-23
公开(公告)号: CN105137497B 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 肖立志;冯硕;朱明达;杨光;廖广志 申请(专利权)人: 中国石油大学(北京)
主分类号: G01V3/32 分类号: G01V3/32
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 宋扬;黄健
地址: 102249 北京市昌平区府学路18*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例提供一种基于MOSFET的低场核磁共振Q转换电路。该电路包括:谐振电路、转换电路、双工器、第一控制器和第二控制器;谐振电路包括并联的调谐电容和电感;转换电路包括串联的MOSFET电路和功率电阻,转换电路与谐振电路并联构成并联网络;双工器与并联网络串联;第一控制器与双工器连接;第二控制器与MOSFET电路连接。本发明实施例通过控制MOSFET电路开启或关闭,使发送射频信号,以及端接收核磁共振信号时,单天线工作在高Q值状态;泄放谐振电路能量时,单天线工作在低Q值状态,缩短了单天线恢复时间常数以及单天线恢复时间,提高了低场核磁共振仪器对核磁共振信号的检测精准,以及低场核磁共振仪器的灵敏度。
搜索关键词: 转换电路 谐振电路 控制器 单天线 双工器 低场核磁共振仪器 低场核磁共振 核磁共振信号 并联网络 并联 串联 电感 发送射频信号 调谐电容 功率电阻 时间常数 灵敏度 泄放 电路 恢复 检测
【主权项】:
1.一种基于MOSFET的低场核磁共振Q转换电路,其特征在于,包括:谐振电路、转换电路、双工器、第一控制器和第二控制器;其中,所述谐振电路包括调谐电容和电感,所述调谐电容和所述电感并联;所述转换电路包括MOSFET电路和功率电阻,所述MOSFET电路与所述功率电阻串联,所述转换电路与所述谐振电路并联构成并联网络;所述双工器与所述并联网络串联;所述第一控制器与所述双工器连接,用于控制所述双工器与射频信号发送端连接或者与核磁共振信号接收端连接;所述第二控制器与所述MOSFET电路连接,用于控制所述MOSFET电路开启或关闭;所述射频信号发送端发送射频信号时,所述第一控制器控制所述双工器与所述射频信号发送端连接,所述射频信号发送结束后,所述第二控制器控制所述MOSFET电路开启,以泄放所述谐振电路中的能量。
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