[发明专利]半导体器件制作方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件制作方法，对硅衬底的背面进行离子辐照处理，以提升半导体器件的阳极杂质的激活率，改善半导体器件的导通压降，降低其导通损耗；并且，通过该离子辐照处理，硅衬底经退火后可以在体内形成额外的复合中心，减少半导体器件的少子寿命，从而达到降低半导体器件的开关损耗的目的；再者，本发明在硅衬底的背面注入杂质离子后，直接在硅衬底的背面沉积金属层，然后再对硅衬底进行退火工艺，即，将半导体器件的杂质激活与金属合金工艺整合到一起，无需在注入杂质离子之后额外进行退火工艺，而是通过金属层沉积后的退火工艺同时实现了杂质激活以及金属合金化的目的，减少了工艺步骤，节约了加工成本。

主权项

一种半导体器件制作方法，其特征在于，提供一硅衬底，所述硅衬底的正面形成有正面结构；对所述硅衬底的背面进行离子辐照处理；在所述硅衬底的背面注入杂质离子；在所述硅衬底的背面沉积金属层；对所述硅衬底进行退火工艺。