[发明专利]一种低功耗、零偏压单行载流子光电探测器

摘要

本发明公开了一种能够工作于零偏压下的低功耗单行载流子光电探测器。该光电探测器由InP半绝缘衬底以及其上的外延层组成。外延层包括InP半绝缘衬底、第一InGaAs腐蚀阻止层、InP次收集层(其上镀有n型接触电极)、第二InGaAs腐蚀阻止层、InP收集层、InGaAsP过渡层、InGaAs吸收层、InAlAs电子阻挡层和InGaAs接触层(其上镀有p型接触电极)。其中在吸收层和电子阻挡层上优选地使用了InAlAs/InGaAs异质结，利用InAlAs的高费米能级和大禁带宽度获得了在零偏压下更好的响应度与相应带宽，并且降低了功耗。

主权项

一种低功耗、零偏压单行载流子光电探测器，其特征在于包括如下结构：半导体衬底，其由InP材料构成，并具有半绝缘特性；外延层，其由InAlAs、InGaAs、InGaAsP及InP材料构成；所述光电探测器以p型掺杂的InAlAs材料作为电子阻挡层；所述光电探测器入光面位于衬底一侧。