[发明专利]非易失性存储元件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种非挥发性存储元件及其制造方法。在一些实施例中，非易失性存储元件包括基材、由多个非易失性存储单元组成的立体阵列及多个垂直通道。立体阵列包括由多个绝缘层彼此分开的多个导电层，导电层包括顶层及一或多个底层，顶层包括n个串列选择线，顶层还包括n‑1个切口，每一切口电性分隔二个串列选择线，其中每一切口切割至顶层的深度，而未延伸至底层之中，而多个垂直通道与导电层及绝缘层正交排列，每一垂直通道各包括多个存储单元所组成的串列，每一条串列各自耦接至一条位线、一条串列选择线及一或多条字线。

主权项

1.一种非易失性存储元件，其特征在于，包括：一基材；以及通过多个非易失性存储单元所组成的一立体阵列，该立体阵列包括：通过多个绝缘层彼此分开的多个导电层，该些导电层包括一顶层以及一或多个底层，该顶层包括n个串列选择线，其中该顶层还包括n‑1个切口，每一该些切口电性分隔该些串列选择线中的二者，每一该些切口切割至该顶层的一深度，而未延伸至该一或多个底层之中。