[发明专利]量测晶圆变形的方法在审
| 申请号： | 201510615736.4 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105336637A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 刘智敏 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种量测晶圆变形的方法，通过监测晶圆上对准图形在热处理后的变形量，来表征热处理制程前后的晶圆形变，达到对热处理制程形变参数监测的目的，从而能够判断晶圆在热处理后的变形程度，使热处理对晶圆造成形变处于可控的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 量测晶圆 变形 方法 | ||
【主权项】：
一种量测晶圆变形的方法，其特征在于，包括步骤：提供测试晶圆，所述测试晶圆上设有多个第一对准图形；对所述测试晶圆进行热处理；在所述测试晶圆的第一对准图形内形成第二对准图形；测量第一对准图形和第二对准图形的中心重叠偏差，获得热处理造成的晶圆变形量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
