[发明专利]平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器，其包括沿设定方向依次分布的下电极、InAs/GaSb或InAs/InAsSb超晶格吸收层、InAs/GaSb超晶格或GaSb或GaAsSb接触层以及上电极，并且于所述接触层内或所述接触层与超晶格吸收层内还局部分布有p型区域。本发明还公开了一种制作所述红外探测器的方法。本发明提供的锑化物超晶格红外探测器使用了平面结构，避免了常规台面结构中由于刻蚀产生的表面漏电流，有利于降低红外探测器的暗电流和噪声，并简化了锑化物二类超晶格红外探测器的制作工艺，同时本发明因采用了特殊设计的pin型探测器的能带结构和材料组合，还使得光生载流子的收集不受势垒阻挡，有效保证和提升了红外探测器的工作性能。

主权项

一种平面结构的锑化物二类超晶格红外探测器，其特征在于，所述红外探测器包括沿设定方向依次分布的下电极、InAs/GaSb或InAs/InAsSb超晶格吸收层、InAs/GaSb超晶格或GaSb或GaAsSb接触层以及上电极，所述超晶格吸收层形成于n型InAs或GaSb衬底的上端面，并且所述超晶格吸收层与衬底之间还分布有n型InAs或InAsSb缓冲层，所述接触层上还设有非故意掺杂的InAs或AlGaSb钝化层和介质保护层，所述钝化层和介质保护层上设有扩散窗口，并且于所述接触层内或所述接触层与超晶格吸收层内还局部分布有p型区域，所述p型区域由p型掺杂源通过所述扩散窗口在所述接触层内或所述接触层与超晶格吸收层内选择性扩散形成，所述上电极经所述扩散窗口与所述接触层内的p型区域连接。