[发明专利]具有机械去耦的微集成封装MEMS传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201510617061.7 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105565256B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | A·皮科 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 微集成传感器包括由半导体材料的传感器层、半导体材料的盖帽层、以及绝缘层形成的堆叠。传感器层和盖帽层具有围绕中心部分的相应外周部分，以及绝缘层延伸在传感器层和盖帽层的外周部分之间。气隙延伸在传感器层和保护层的中心部分之间。穿通沟槽延伸进入传感器层的中心部分中直至气隙，并且围绕了容纳敏感元件的平台。盖帽层具有在绝缘层中的穿通孔，从气隙延伸并且形成了与气隙和穿通沟槽的流体路径。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 机械 集成 封装 mems 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微集成传感器，包括：堆叠，具有第一表面和第二表面，所述堆叠包括：传感器层，在所述第一表面处，所述传感器层包括围绕中心部分的外周部分，所述中心部分包括容纳敏感元件的平台；盖帽层，在所述第二表面处，所述盖帽层包括外周部分和中心部分，所述盖帽层的所述中心部分包括多个穿通孔；以及绝缘层，位于所述盖帽层和所述传感器层的外周部分之间；以及气隙，位于所述盖帽层和所述传感器层的中心部分之间；以及多个穿通沟槽，在所述传感器层的所述中心部分中，所述多个穿通沟槽一起围绕容纳所述传感器层的所述敏感元件的所述平台，所述多个穿通沟槽中的每个穿通沟槽具有在所述多个穿通沟槽中的相邻一个穿通沟槽的相对侧上延伸的部分，其中所述多个穿通孔、所述气隙和所述多个穿通沟槽形成去往所述敏感元件的流体路径。
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