[发明专利]一种相变存储单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201510617080.X | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105280814B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 吕业刚;沈祥;王国祥;戴世勋;李敏华 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L21/62 |
| 代理公司： | 宁波奥圣专利代理事务所(普通合伙) 33226 | 代理人： | 何仲 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型相变存储单元及其制备方法，特点是半导体衬底上设置有呈水平分布的多层电极，多层电极的中间从下到上依次嵌设有相变存储薄膜及介质层，多层电极由至少两种不同的导电材料层按顺序上下交替排列形成至少10层界面结构，导电材料为TiN、Ti、Al、W、Ag、Au、Cu、TiW、HfN、WN、TaN或AlN，相变存储薄膜为存储材料Ge‑Sb‑Te体系，介质层采用的材料为Si3N4或SiO2，半导体衬底采用的材料为Si、SiC或SOI，多层电极的总厚度为150～500 nm，单层导电材料层的厚度为2‑15nm，优点是有效地降低热量流失，充分提高加热效率，进而降低操作电流，实现低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 多层电极 相变存储单元 相变存储 介质层 衬底 制备 薄膜 半导体 单层导电材料 导电材料层 操作电流 存储材料 导电材料 加热效率 交替排列 界面结构 热量流失 水平分布 低功耗 有效地 | ||
【主权项】：
一种相变存储单元，包括半导体衬底，其特征在于：所述的半导体衬底上设置有呈水平分布的多层电极，所述的多层电极的中间从下到上依次嵌设有相变存储薄膜及介质层，所述的多层电极由至少两种不同的导电材料层按顺序上下交替排列形成至少10层界面结构，所述的导电材料为TiN、Ti、Al、W、Ag、Au、Cu、TiW、HfN、WN、TaN或AlN，所述的相变存储薄膜为存储材料Ge‑Sb‑Te体系，所述的介质层采用的材料为Si3N4或SiO2，所述的半导体衬底采用的材料为Si、SiC或SOI，所述的相变存储薄膜的水平宽度和所述的介质层的水平宽度相等且均为100‑1000nm，所述的相变存储薄膜的厚度为10‑120nm，所述的介质层的上表面与所述的多层电极的上表面齐平。
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