[发明专利]具有在FDSOI衬底中形成的垂直选择栅极的存储器单元

摘要

本发明涉及一种形成于半导体衬底(SUB)中的存储器单元，包括在该衬底中所形成的沟槽(TR)中垂直延伸并且通过第一栅极氧化物层(D3)与该衬底隔离的选择栅极(SGC)；在该衬底上方延伸并且通过第二栅极氧化物层(D1)与衬底隔离的水平浮置栅极(FG)；和在该浮置栅极上方延伸的水平控制栅极(CG)，该选择栅极(SGC)覆盖该浮置栅极的侧面，该浮置栅极仅通过第一栅极氧化物层(D3)与该选择栅极隔开，并且仅通过第二栅极氧化物层与在该衬底中沿该选择栅极延伸的垂直沟道区域(CH2)隔开。

主权项

1.一种形成于半导体衬底中的存储器单元，包括：在所述衬底中所形成的沟槽中垂直延伸并且通过第一栅极氧化物层与所述衬底隔离的选择栅极；在所述衬底上方延伸并且通过第二栅极氧化物层与所述衬底隔离的水平浮置栅极；以及在所述浮置栅极上方延伸的水平控制栅极，其特征在于，所述选择栅极覆盖所述浮置栅极的侧面，所述浮置栅极仅通过所述第一栅极氧化物层与所述选择栅极隔开，并且仅通过所述第二栅极氧化物层与在所述衬底中沿所述选择栅极延伸的垂直沟道区域隔开；其中所述选择栅极在所述沟槽中垂直延伸，直至到达如下平面，即：通过所述浮置栅极的顶面的平面；所述存储器单元还包括形成收集性源极平面的嵌入层，所述收集性源极平面与所述垂直沟道区域电接触，用于收集编程电流，所述编程电流用于对所述存储器单元以及所述衬底中所形成的其它存储器单元进行编程。