[发明专利]具有低暗电流的针扎光电二极管有效
| 申请号： | 201510618059.1 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105514214B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | L·法韦内克;D·迪塔特;F·鲁瓦 | 申请（专利权）人： | 意法半导体有限公司;意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/11;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,吕世磊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及具有低暗电流的针扎光电二极管。一种制造针扎光电二极管的方法，包括在第二导电类型的衬底上形成将光子转换成电荷的第一导电类型的区域；用第二导电类型的重掺杂绝缘体层涂覆所述区域；和退火以确保从重掺杂绝缘体层的掺杂剂扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流 光电二极管 | ||
【主权项】：
一种制造针扎光电二极管的方法，包括：在第二导电类型的衬底上形成第一导电类型的转换区域，所述转换区域被配置成将光子转换成电荷；在所述转换区域上形成所述第二导电类型的浅半导体区域；用掺杂有所述第二导电类型的掺杂剂的重掺杂绝缘体层涂覆所述浅半导体区域，所述浅半导体区域位于所述转换区域与所述重掺杂绝缘体层之间；以及将掺杂剂扩散从所述重掺杂绝缘体层提供到所述浅半导体区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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