[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510618477.0 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN106486393B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 广地志有 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提高具有多个处理室的处理装置的生产率的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。包括：能够处理衬底的多个处理室；能够向多个处理室分别供给处理气体的处理气体供给部；能够向多个处理室分别供给吹扫气体的吹扫气体供给部；能够对多个处理室的任一方或全部进行排气的排气部；和控制部，以如下方式控制处理气体供给部、吹扫气体供给部和排气部，即，在向多个处理室中的一个处理室输送衬底、不向该一个处理室以外的至少一个其他处理室输送衬底时，与向一个处理室供给所述处理气体并行地，向其他处理室供给吹扫气体，并对一个处理室和其他处理室进行排气。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种衬底处理装置，包括：/n能够处理衬底的多个处理室；/n能够向所述多个处理室分别供给处理气体的处理气体供给部；/n能够向所述多个处理室分别供给吹扫气体的吹扫气体供给部；/n能够对所述多个处理室的任一方或全部进行排气的排气部；和/n控制部，以如下方式控制所述处理气体供给部、所述吹扫气体供给部和所述排气部，即，在向所述多个处理室中的一个处理室输送衬底、不向该一个处理室以外的至少一个其他处理室输送衬底时，与向所述一个处理室供给所述处理气体并行地，向所述其他处理室供给吹扫气体，并且，以使得所述一个处理室的排气流导与所述其他处理室的排气流导成为相同流导的方式对所述吹扫气体的流量和所述其他处理室的排气流导中的任一者或两者进行变更，从而对所述一个处理室和所述其他处理室进行排气。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
