[发明专利]一种交错缺口正八边形双频带电磁超材料结构

摘要

本发明公开一种交错缺口正八边形双频带电磁超材料结构，包括：介质基板；在所述介质基板的一面蚀刻设有内正八角形金属片和外正八角形金属片，内正八角形金属片的最大半径小于外正八角形金属片的最小半径，所述内、外正八边形金属片的边间隔均具有一个缺口，且内、外正八边形金属片的缺口呈交错状态分布；在所述介质基板的另一面水平刻蚀设有一金属条，所述金属条的长度为介质基板的长度。采用本发明的技术方案，可满足双频带性能指标的应用场合。

主权项

1.一种交错缺口正八边形双频带电磁超材料结构，包括：介质基板(10)；在所述介质基板(10)的一面蚀刻设有内正八边形金属片(1)和外正八边形金属片(2)，内正八边形金属片(1)的最大半径小于外正八边形金属片(2)的最小半径，其特征在于，所述内正八边形金属片(1)、外正八边形金属片(2)的边间隔均具有一个缺口(3)，且内正八边形金属片(1)、外正八边形金属片(2)的缺口(3)呈交错状态分布；在所述介质基板(10)的另一面水平刻蚀设有一金属条(4)，所述金属条(4)的长度为介质基板(10)的长度，在电谐振时表现出负的介电常数，二者重叠区域则是介电常数和磁导率的“双负”频段,其中，双频带性能的有效电磁参数指标通过下述公式进行验证，ε＝n/z   (3)μ＝n*z   (4)其中，n为折射率，z为阻抗，ε为介电常数，μ为磁导率，S11为反射系数，S21为透射系数，k代表波数，d代表基板厚度。