[发明专利]一种低压折叠式共源共栅跨导放大器在审
| 申请号： | 201510619045.1 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105227142A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 徐代果;胡刚毅;李儒章;王健安;陈光炳;王育新;付东兵;刘涛;邓民明;石寒夫 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F3/45 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低压折叠式共源共栅跨导放大器，包括输入级结构、第一级负载结构、恒流源结构、第二级结构，所述输入级结构包括PMOS输入管Ma1/Ma2/Mb1/Mb2和NMOS输入管Mna1/Mna2/Mnb1/Mnb2，本发明通过加入了输入管Mna1、Mna2、Mnb1、Mnb2，可以有效抑制PMOS输入管Ma1、Ma2、Mb1、Mb2的衬底寄生三极管导通时，对整个电路功能和性能产生的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 折叠式 共源共栅跨导 放大器 | ||
【主权项】：
一种低压折叠式共源共栅跨导放大器，包括输入级结构、第一级负载结构、恒流源结构、第二级结构，所述输入级结构包括第一PMOS管(Ma1)、第二PMOS管(Ma2)、第三PMOS管(Mb1)和第四PMOS管(Mb2)；所述第一级负载结构包括第五NMOS管(Ma3)、第六NMOS管(Ma4)、第七NMOS管(Ma5)、第八NMOS管(Ma6)、第九NMOS管(Mb3)、第十NMOS管(Mb4)、第十一NMOS管(Mb5)、第十二NMOS管(Mb6)、第八PMOS管(Ma7)、第九PMOS管(Ma9)、第十PMOS管(Mb7)和第十一PMOS管(Mb9)，所述恒流源结构包括第五PMOS管(M0)、第六PMOS管(Ma8)和第七PMOS管(Mb8)，所述第二级结构包括第十三NMOS管(M10)和第十二PMOS管(M11)，其特征在于：所述输入级结构还包括第一NMOS管(Mna1)、第二NMOS管(Mna2)、第三NMOS管(Mnb1)和第四NMOS管(Mnb2)，所述第一NMOS管(Mna1)的栅极与第三NMOS管(Mnb1)的栅极分别连接第一输入信号(Vinp)，所述第二NMOS管(Mna2)的栅极与第四NMOS管(Mnb2)的栅极分别连接第二输入信号(Vinn)，所述第一NMOS管(Mna1)的漏极与第一PMOS管(Ma1)的漏极连接，第一NMOS管(Mna1)的源极与第六NMOS管(Ma4)的漏极连接；所述第二NMOS管(Mna2)的漏极与第二PMOS管(Ma2)的漏极连接，第二NMOS管(Mna2)的源极与第十NMOS管(Mb4)的漏极连接；所述第三NMOS管(Mnb1)的漏极与第三PMOS管(Mb1)的漏极连接，第三NMOS管(Mnb1)管的源极与第九NMOS管(Mb3)的漏极连接；所述第四NMOS管(Mnb2)的漏极与第四PMOS管(Mb2)的漏极连接，第四NMOS管(Mnb2)的源极与第五NMOS管(Ma3)的漏极连接。
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